Международный успех изобретателей из ФЭЛ

Патент, выданный на изобретение, которое сделала группа авторов из КПИ им. Игоря Сикорского и Технического университета г. Дрезден (Германия), зарегистрирован в 120 странах мира!

Международное бюро Всемирной организации интеллектуальной собственности в конце 2017 г. выдало патент на "Прибор и метод для переменного электрического подключения компонентов, расположенных на субстрате", авторами которого являются профессор Хеннинг Хойер (Технический университет г. Дрезден, Германия), аспирант Технического университета г. Дрезден Ирина Пацера (Германия), профессор Борис Цыганок, ассистент Остап Олейник и доцент Дмитрий Татарчук (все трое - КПИ им. Игоря Сикорского, факультет электроники).

Изобретение посвящено решению одной из ключевых проблем современной электроники, которая заключается в невысоком уровне внутренних межсоединений в электронных структурах (количество соединений каждого элемента с каждым). Идея заключается в том, чтобы создавать межсоединения в электронных структурах в режиме разделения времени, причем межсоединения создаются по принципу: "там, где они нужны, и тогда, когда они нужны". Для этого предлагается использовать известное физическое явление - фотопроводимость. Впрочем, возможно применение и других типов динамических неоднородностей. При этом достигается возможность различных вариантов схемного включения активных электронных компонентов, размещенных на поверхности кристалла. Например, одни и те же транзисторы в режиме разделения времени можно использовать для создания различных логических элементов или в других схемных включениях. Это позволяет реализовать принцип многофункциональности при использовании тех же электронных компонентов.

Использование запатентованного метода создает возможности для реализации квазинейронных систем с применением принципа гибкой приоритетности обработки информационных потоков, сигналов.

Патент зарегистрирован в 120 странах мира на основе Договора о патентной кооперации (РСТ) Международным бюро Всемирной организации интеллектуальной собственности (ВОИС-WIPO) благодаря многолетнему сотрудничеству разработчиков с факультета электроники КПИ им. Игоря Сикорского с их коллегами из Технического университета г. Дрезден (ТУД).

Поздравляем наших изобретателей!

Инф. ФЭЛ