Наверняка многие из выпускников КПИ 60–90-х годов ХХ века помнят, что одним из базовых пособий по физике, которые они использовали при подготовке к поступлению в институт, был "Справочник по физике для поступающих в вузы" под редакцией доктора Н.П.Калабухова. Краткие и доходчивые, но вместе с тем с научной точки зрения корректные объяснения самых сложных для старшеклассников вопросов сделали его очень популярным среди тогдашних абитуриентов.
Но Николай Петрович Калабухов был не только талантливым преподавателем и хорошим методистом, но и известным исследователем. А с 1956 по 1972 год он заведовал кафедрой общей физики КПИ.
20 октября 2022 года исполнилось 120 лет со дня его рождения.
Н.П.Калабухов родился в 1902 г. в городе Ростове-на-Дону в семье руководителя электростанции. В 1920 году окончил Александровскую гимназию в городе Царицын (ныне – Волгоград), учился в Тихорецком коммерческом училище. В 1925 г. поступил на физическое отделение физико-математического факультета Томского университета.
После окончания университета в 1930 году Н.П.Калабухов работает в Институте прикладной физики, а затем в Сибирском физико-техническом институте (СФТИ), открытом в 1930 году при Томском университете. В то время в СФТИ была приглашена группа физиков из Ленинградского физико-технического института во главе с проф. П.С.Тартаковским (1895-1940), под управлением которого и начал свою научную деятельность Н.П.Калабухов. Следует заметить, что в 1920-х годах проф. П.С.Тартаковский был ассистентом кафедры физики КПИ, которую в то время возглавлял проф. О.Г.Гольдман (1884–1971).
В СФТИ Н.П.Калабухов вместе с П.С.Тартаковским открыл явление электронной поляризации окрашенных щелочно-галоидных кристаллов. Это явление стало основой современной электрофотографии. Кроме того, он выполнил ряд работ, связанных с изучением фотоэффекта на грани металла и диэлектрика.
В 1935 году Н.П. Калабухов защитил кандидатскую диссертацию на тему "О внутреннем фотоэффекте в щелочно-галоидных кристаллах" и получил степень кандидата физико-математических наук. В должности доцента Томского университета он преподавал несколько курсов теоретической физики.
В 1937 году Николай Петрович женится на пианистке Тбилисской консерватории М.А.Мелик-Бабахановой и переезжает в Тбилиси, где работает в должности доцента кафедры экспериментальной физики Тбилисского государственного университета. В 1940 г. он возглавил эту кафедру. В 1941 году в Грузии был организован Институт физики АН Грузинской ССР под руководством Э.Л.Андроникашвили, в котором Н.П. Калабухов стал руководителем отдела экспериментальной физики, а затем отдела физики твердого тела.
В Тбилиси Н.П.Калабухов развивал научное направление по исследованию электрических и оптических свойств твердых тел, в частности фотоэлектрических свойств щелочно-галоидных кристаллов. Он предложил оригинальный метод определения накопления точечных дефектов в кристаллах под влиянием жесткого излучения – метод повторного излучения с последующим измерением фототока. Впоследствии этот метод нашел широкое использование как в СССР, так и за границей. Значительное место в исследованиях Н.П.Калабухова занимало изучение квазиметаллических частиц, образующихся при излучении кристаллов. Исследовал он также релаксационные явления в отраженных кристаллах при присутствии фототока. В 1952 г. защитил докторскую диссертацию, посвященную изучению роли дефектов кристаллической решетки в особенностях фотоэлектрической проводимости в щелочно-галоидных кристаллах. Заметим, что под управлением Н.П. Калабухова в Тбилисском университете во время эвакуации в военные годы защитил кандидатскую диссертацию будущий доцент кафедры общей физики КПИ Ю.А.Сикорский, родной племянник авиаконструктора Игоря Сикорского.
В 1956 году по приглашению ректора Киевского политехнического института И.Т.Швеца Николай Калабухов вместе с семьей переезжает в Киев и возглавляет кафедру общей физики. С его появлением научная жизнь на кафедре активизируется, обновляется оснащение научных лабораторий, создаются экспериментальные мастерские (механическая, стеклодувная, кварцедувная). Число сотрудников растет до сотни и больше. Начинают работать два научных семинара – из широкозонных полупроводников и оптических свойств ионных кристаллов. Под руководством Н.П. Калабухова выполняются исследования оптических свойств твердых тел, а с 1957 г. по его инициативе открывается проблемная лаборатория полупроводников, основным направлением деятельности которой стало создание и исследование опорных светоизлучающих диодов на основе кубического карбида кремния.
В проблемной лаборатории было два отдела: отдел монокристаллических полупроводниковых материалов (руководитель – проф. Н.П.Калабухов) и отдел микроэлектроники (руководитель – проф. М.М.Некрасов (1906-1983)). В 1969 г. приборы, разработанные в лаборатории, экспонировались на ВДНХ СССР и были удостоены бронзовой медали. Сотрудники лаборатории принимали участие в выполнении государственных программ, стали известными в стране и за рубежом.
Под руководством Н.П.Калабухова по тематике проблемной лаборатории кандидатские диссертации защитили Ю.М. Алтайский, В.С. Киселев и В.Н. Родионов. Впоследствии Ю.М. Алтайский стал руководителем проблемной лаборатории и защитил докторскую диссертацию. В.С. Киселев в 1990-х годах перешел работать в Институт физики полупроводников НАН Украины, где в сотрудничестве с С.Ф. Авраменком, который также являлся сотрудником проблемной лаборатории КПИ, разработал уникальную технологию выращивания монокристаллов карбида кремния. Выращенные монокристаллы 6Н-политипа размером более дюйма в диаметре и ныне не уступают по качеству тем кристаллам, которые выращиваются в ведущих зарубежных технологических компаниях, таких как "Cree", "Siemens" тому подобное. Проблемная лаборатория также привлекала к работе студентов. По теме лаборатории было защищено более 70 дипломных работ. Среди дипломников был и будущий директор Института физики полупроводников НАН Украины акад. В.Ф. Мачулин (1950-2014), выполнявший дипломную работу под руководством к.т.н. В.С. Киселева.
В состав лаборатории также входила криогенная станция. Запуском и обеспечением стабильной работы криогенной станции занимался талантливый инженер М. А. Свертока. Сжиженный гелий использовался для проведения на кафедре экспериментальных исследований при низких температурах, а также поставлялся другим учреждениям, например медицинскому институту.
Вторым направлением научных исследований кафедры было изучение оптических свойств ионных кристаллов. Основными результатами исследований было изучение механизмов преобразования одних электронных центров окраски в другие и механизма возбуждения люминесценции, структуры электронных переходов в кепзонных центрах. Значительное место также занимало исследование оптических свойств щелочно-галоидных кристаллов с двухвалентными примесями, такими как европий, кадмий, которым занимался Ковалев. Под руководством Николая Калабухова по этому научному направлению защитили кандидатские диссертации П.А.Юрачковский, В.П.Бригинец, П.К.Горбенко, А.А.Ковтун, А.И.Бублей, Ю.Б.Ермолович.
Николай Петрович всегда уделял много внимания подготовке к лекциям. Он усердно готовился к каждой. Обновлял материал, добавлял что-то свежее, прочитанное, продумывал каждое слово. На лекциях рассказывал об истории открытий и об ученых, которые их совершили. Лекции по физике читал в Большой физической аудитории главного (первого) корпуса КПИ. Н.П. Калабухов одним из первых киевских преподавателей начал читать лекции по физике для широкой публики на телевидении. Также он много лет возглавлял Киевскую организацию Общества "Знания".
Н.П.Калабухов был человеком дружелюбным, не любил говорить о людях плохо, а злословие воспринимал как нечто недостойное. Николай Петрович всегда находил возможность внимательно выслушать собеседника, чистота его замыслов и поступков заставляла многих относиться к нему с большой теплотой.
С 1973 по 1987 год Николай Петрович продолжал работать на кафедре общей физики в должности профессора. Жизненный путь Н.П.Калабухова закончился 28 ноября 1989 года.