You are here

Лашкарев Вадим Евгеньевич


Лашкарьов Вадим Євгенович

Выдающийся украинский физик Вадим Евгеньевич Лашкарев родился 7 октября 1903 г. в г. Киеве. В 1924 г. окончил Киевский институт народного образования (теперь Киевский национальный университет им. Тараса Шевченка), поступил в аспирантуру научно-исследовательской кафедры Киевского политехнического института. С 1925 по 1927 гг. Работал в КПИ сначала преподавателем, а затем и доцентом.

В.Е.Лашкарев принимал активное участие в организации Института физики АН УССР, где с 1929 по 1930 годы заведовал отделом рентгенофизики.

В 1930 г. академик А.Ф.Иоффе приглашает ученого в лабораторию Ленинградского физико-технического института. В течении пяти лет В.Е.Лашкарев руководит отделом рентгеновских лучей, впоследствии отделом дифракции электронов. Вместе с В.П.Линником выполнил цикл работ по оптике рентгеновских лучей. Выполнил пионерские работы по определению распределения электронной плотности и потенциала в твердом теле и написал первую в СССР монографию «Дифракция злектронов». За эти работы ему без публичной защиты была присуждена научная степень доктора физико-математических наук. Затем, в 1934 г. В.Е.Лашкарева было выслано в Архангельск, где он до 1939 г. заведовал кафедрой физики в мединституте.

В 1939 г. Вадим Евгеньевич возвращается в Киев и в Институте физики возглавляет отдел полупроводников и одновременно кафедру физики Киевского университета.

В 1941 г. ученый начал исследования запирающих слоев закиси медных выпрямителей с помощью зонда. Он установил, что по обе стороны запорного слоя, расположенного параллельно границе раздела медь - закись меди, носители тока имеют противоположные знаки. Это явление впоследствии получило название р-п-перехода. В .Е.Лашкарев по праву, вместе с группой американских ученых, должен был бы получить в 1956 году Нобелевскую премию по физике за открытие транзисторного эффекта.

В 1945 г. В.Е.Лашкарева избирают действительным членом АН УССР.

В начале 50-х годов под его руководством в Институте физики АН УССР было организовано производство точечных транзисторов. В 1960 г. был открыт Институт полупроводников АН УССР, директором которого назначили Вадима Евгеньевича.

Основные научные работы В.Е.Лашкарева посвящены изучению дифракции электронов и физике полупроводников. Известными являются также работы по исследованию механизма возникновения фото электродвижущих сил в полупроводниках, с фотопроводимости, биполярной проводимости и электронных уровней на поверхностях полупроводников.

Вадим Евгеньевич уделял большое внимание подготовке научных кадров. В КГУ при кафедре физики он ввел специализацию «физика полупроводников", а впоследствии создал первую кафедру полупроводников. При непосредственном его руководстве и консультациях было защищено значительное количество докторских и кандидатских диссертаций.

Умер В.Е.Лашкарев 1 декабря 1974 года. В 2002г. Институту полупроводников АН Украины присвоено имя В.Е.Лашкарева.

Т.И. Озоженко, ст.н.с. ГПМ

x

Електронний кампус

Інформаційні ресурси

Викладачі КПІ

GitHub репозиторій